2023年度上期機械第10問｜第三種電気主任技術者（電験三種）過去問 | 建設業界の転職・求人情報なら【建職バンク】

パワー半導体スイッチングデバイスとしては近年，主に IGBT とパワーMOSFET が用いられている。通常動作における両者の特性を比較した記述として，誤っているものを次の(1)～(5)のうちから一つ選べ。

（一般財団法人　電気技術者試験センター　より）

解答数	正答数	正答率[%]

1

6

11

16

2

7

12

17

3

8

13

18

4

9

14

5

10

15

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2023年度上期「過去問」
第三種電気主任技術者（電験三種）機械（問題10/18）